- تاریخ ثبتنام
- 24/1/22
- ارسالیها
- 1,880
- پسندها
- 18,986
- امتیازها
- 44,573
- مدالها
- 22
- سن
- 18
- نویسنده موضوع
- مدیر
- #1
ظاهراً سامسونگ موفق شده اولین حافظه V-NAND با 900 لایه را توسعه دهد. این دستاورد که میتواند رقابت در بازار حافظههای NAND را وارد مرحله تازهای کند. افزایش شدید تقاضا برای حافظههای پرسرعت در حوزه هوش مصنوعی نیز باعث شده سازندگان بزرگ تراشه با سرعت بیشتری روی نسلهای جدید NAND کار کنند.
به نظر میآید سامسونگ برای ساخت این تراشه از فناوری Cell Multi-Bonding یا CMB استفاده کرده است. در این روش، دو ویفر 450 لایهای روی یکدیگر قرار میگیرند تا در نهایت یک تراشه 900 لایهای شکل بگیرد.
افزایش تعداد لایهها در حافظههای V-NAND معمولاً به معنی چگالی ذخیرهسازی بیشتر، مصرف انرژی کمتر و بهبود بهرهوری در پردازشهای سنگین هوش مصنوعی است. حافظههای V-NAND درواقع نوعی حافظه فلش سهبعدی هستند که...
به نظر میآید سامسونگ برای ساخت این تراشه از فناوری Cell Multi-Bonding یا CMB استفاده کرده است. در این روش، دو ویفر 450 لایهای روی یکدیگر قرار میگیرند تا در نهایت یک تراشه 900 لایهای شکل بگیرد.
افزایش تعداد لایهها در حافظههای V-NAND معمولاً به معنی چگالی ذخیرهسازی بیشتر، مصرف انرژی کمتر و بهبود بهرهوری در پردازشهای سنگین هوش مصنوعی است. حافظههای V-NAND درواقع نوعی حافظه فلش سهبعدی هستند که...
